SiO2对多层GaN外延片热应力分布影响的仿真分析

主管：中国兵器工业集团有限公司

主编：纪明

ISSN 1002-2082

CN 61-1171/O4

主办：中国兵器工业第二〇五研究所
　　　中国兵工学会

出版：《应用光学》编辑部

《应用光学》创刊于1980年，国内外公开发行，刊号为ISSN 1002-2082, CN-61-1171/O4,是中国兵器工业第二Ο五研究所和中国兵工学会主办的技术类期刊，2006年4月被收录为“中国科技核心期刊”，2008年12月被收录为“中文核心期刊”，是美国《化学文摘》（CA）、《剑桥科学文摘》（CSA）、俄罗斯《文摘杂志》（AJ）、英国《科学文摘》（INSPEC）、《乌利希期刊指南》（UIPD）、荷兰Scopus等国际重要检索机构的收录期刊。

SiO2对多层GaN外延片热应力分布影响的仿真分析

陈靖;程宏昌;吴玲玲;冯刘;苗壮

Simulation analysis of influence of SiO2 on thermal stress distribution of multilayer GaN epitaxial wafer

Chen Jing;Cheng Hongchang;Wu Lingling;Feng Liu;Miao Zhuang

应用光学 . 2016, (6): 887 -894 . DOI: 10.5768/JAO201637.0603003